CREE

Der Schwerpunkt des Unternehmens war und bleibt bis heute die Entwicklung und Herstellung von Halbleitermaterialien auf Basis von Siliziumkarbid (SiC). In den frühen 90er Jahren begann das Unternehmen Intensive Forschung auf dem Gebiet der lichtemittierenden Strukturen aus Galliumnitrid (GaN) und festen Lösungen auf seiner Basis auf SiC-Substraten. Dank der einzigartigen SiC-basierten Halbleitertechnologien verfügen die Produkte von CREE über die höchste Zuverlässigkeit und die für Wettbewerber unerreichbaren elektrischen Eigenschaften, die den Einsatz sowohl in der Haushalts-als auch in der Industrie-und Raumfahrttechnik ermöglichen. Heute ist Cree weltweit führend in der Herstellung von Siliziumkarbid-Einkristallen und ein führender Hersteller von SiC-und GaN-halbleitergeräten auf SiC-Substraten.