Cree Inc. была основана в 1987 году в штате Северная Каролина (США). Основным направлением компании было и остается по сей день разработка и производство полупроводниковых материалов на основе карбида кремния (SiC). В начале 90-х компания начала интенсивные исследования в области светоизлучающих структур из нитрида галлия (GaN) и твердых растворов на его основе на подложках SiC. Благодаря уникальным технологиям производства полупроводниковых материалов на основе SiC, продукция CREE обладает высочайшей надежностью и недостижимыми для конкурентов электрическими характеристиками, что позволяет использовать их как в бытовой, так и в промышленной и космической технике. Сегодня Cree является мировым лидером в производстве монокристаллов карбида кремния и ведущим производителем полупроводниковых устройств SiC и GaN на подложках SiC.
